采用激光剥离方法制备垂直结构GaN LED，80-130lm@350mA，衬底导电导热性好、电流分布均匀、发光效率高。

        GaN基激光器(LD)是迄今波长最短的半导体激光器，是下一代高密度光存储所急需的核心器件。目前已经成功研制出400 nm 紫外和460 nm蓝光激光器。