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董建荣
研究员 课题组长 1996年2月在中国科学院半导体研究所获得半导体物理与器件博士学位；1996年3月至1997年8月在中国科学院半导体研究所工作，从事MBE生长GaAs基HEMT及InAs/GaAs研究。1997年9月至2007年5月，在新加坡科技局材料研究院担任Research Scientist，研究工作主要集中于MOCVD 生长InP 和GaAs 基III-V 光电材料及器件，在APL, JAP, JCG等发表文章30余篇。目前从事高效光学集成的太阳电池研究。 |
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郑新和
项目研究员 2002年7月于中国科学院半导体研究所获得材料物理与化学博士学位；2002年7月至2004年2月中国科学院物理研究所博后；2004年3月至2005年12月,源顺国际有限公司，地区经理与应用科学家；2006年1月至2006年7月，中国石油大学(北京)机械电子学院，副教授；2006年8月至2007年12月，智利圣坦玛丽亚科技大学（Universidad Técnica Federico Santa María）物理系；2008年1月至2009年3月，台湾国立中兴大学先端产业暨精密制程共同实验室；目前主要研究方向：氮化物半导体光电器件和材料生长。 |
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