1991年毕业于清华大学，获得学士学位；1996年毕业于宾西法尼亚州立大学，获得博士学位；随即进入国际著名高科技公司霍尼维尔公司（Honeywell）固态电子器件中心工作，作为工艺整合工程师参与了世界上第一款GMR MRAM芯片的开发，主要用户为美国国防部下属各部门；2001年6月转入电路设计工程组，参与大规模集成电路设计。主要设计的产品为抗辐射型SRAM芯片及ASIC芯片。期间还参与和领导了各种辐射模型的开发，对Honeywell整套抗辐射芯片产品线的扩大和发展做出重要贡献；在2003年获得Honeywell技术突出贡献奖，并被提升为总工程师和项目经理；2004年作为技术专家被邀请加入国际SOI技术委员会，历任委员、高级委员，直到2008年因工作繁忙，拒绝了继续留任的邀请，以便专心于公司的业务；2007年1月加入世界第一大存储公司希捷公司（Seagate）, 任存储器事业部高级工程总监，并兼任专利审查委员会主席，领导下一代非易失性存储器和固态硬盘有关技术的研发；2010年2月自美归国，全职在中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所工作，带领科研团队与苏州工业园区合作共建信息存储联合实验室，并任联合实验室主任，大力开发信息存储领域的知识产权，推动新一代固态存储技术的发展并带动产业化。他拥有25项已批准的美国专利，另有40余项专利已提交美国专利局审批，还曾在许多国际学术期刊和学术会议发表论文，为非易失性存储器设计国际专家。

1999年毕业于清华大学，获得学士学位；2002年毕业于赖斯大学，获得硕士学位；2005年毕业于德州大学奥斯丁分校（UT Austin），获得博士学位；从事半导体存储技术研究长达10年，承担过美国国家自然科学基金、MARCO、SRC等多个科研机构的半导体存储器的研究工作。已经批准和正在申请中的专利超过了20项，在国际半导体器件类的排名第一、二的杂志和会议上发表过多篇第一作者重要论文，全部属于SCI，近5年内被引用次数超过100次，它引期刊数超过60种。在全世界最大的单一半导体闪存厂商Spansion(AMD闪存部门单独上市)参加了65和45纳米闪存芯片的研究，并且因为研发中的突出表现，受到了多次内部嘉奖。离开Spansion后加入了全世界最大的硬盘存储厂商Seagate，作为技术带头人参加了电子自选磁矩闪存以及固态存储技术的研发。独立领导过预算达到200万美金的存储实验室的建设，对于闪存技术和传统存储均有丰富的研究经验。2010年2月自美归国，全职在中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所工作，带领科研团队大力开发信息存储领域的知识产权，推动新一代固态存储技术的发展并带动产业化。

1991年毕业于清华大学，获得学士学位；1991-1994年在清华大学担任助研；1996年毕业于美国斯坦福大学，获得硕士学位；在清华大学期间对电子直线加速器的研发做了大量填补国内空白的工作，主导研发的14MeV驻波加速管获“八五”科技攻关重大科技成果和“八五”攻关优秀专题奖；在斯坦福大学集成电路实验室里，参与开发了第一个蚀刻（Etching）的模拟软件SPEEDIE；1996-2001年在EDA的世界领导企业Synopsys主持了下一代门阵结构CBAII和标准单元库产品系列的研究和开发；2002-2005年在Q Design / Cadence从事芯片设计移植系统中高度复杂算法的研究和实现，及线性规划和整数规划问题的深入研究；2005-2007年是Draco Technology的创办人和技术总监，针对90纳米以下的工艺流程，进行芯片设计的优化和自动生成；2007-2010年在Mentor Graphics担任技术带头人和架构师，从事应用统计学习和人工智能在缺陷分析方面的研究和大型多线程，分布式软件的开发工作；2010年2月自美归国，全职在中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所工作，带领科研团队大力开发信息存储领域的知识产权，推动新一代固态存储技术的发展并带动产业化。拥有6项美国专利及多篇APS及SPIE等期刊和会议文章，有近20年在世界一流大学和企业的集成电路，大型软件系统，复杂算法及微波系统的研究和开发经验。