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杨 辉
研究员、博导、国家杰出青年基金获得者，1961年出生。长期从事III-V族化合物半导体的材料生长、物理分析、以及器件研究。1993－1996，在德国Paul-Drude-Institute作博士后和客座研究员，1997被中科院半导体所聘为研究员，国家光电子工艺中心主任。曾获中科院1992年（第二完成人）、1994年（第一完成人）科技进步二等奖各一次；中国科学院青年科学家二等奖（1994年）；国家科委 “863”先进工作者二等奖（1994年）及中国科学院盈科优秀青年学者奖（1998年）等。
主持和领导“863”重大、中科院重大、国家自然科学基金重点等国家级研究项目十余项。在国际著名期刊发表80余篇论文，被SCI、EI等引用次数超过1000次。
1992年他领导的课题组在国内首次用MOCVD技术生长出高质量GaAs/AlGaAs量子阱材料及低域值激光器，达到当时的国际水平；1999年成功研制出了世界上第一只立方相GaN蓝色发光二极管器件；2004年11月研制出中国大陆第一支氮化镓基蓝光激光器，2006年底实现了氮化镓基激光器的连续激射，标志着我国氮化物材料和器件的研究已处于世界先进行列。同时，在产业方面开发成功了氮化镓基LED中游工艺产业化技术，与深圳方大公司合作率先在国内成功实现了氮化镓基蓝绿光LED的产业化。目前，他作为国家“973” 纳米重大专项的首席科学家，正带领项目组人员开展“基于纳米结构的宽光谱高效第三代太阳电池关键科学问题研究”工作。
现为中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所长、香港大学荣誉教授、北京邮电大学和同济大学客座教授、中国电子学会电子材料分会副主任委员，1998-2002年曾任国家863计划光电子主题专家组成员。
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