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刘虹越
研究员 博士生导师 园区领军人才 姑苏创新创业领军人才
1991年毕业于清华大学，获得学士学位；1996年毕业于宾西法尼亚州立大学，获得博士学位；随即进入国际著名高科技公司霍尼维尔公司（Honeywell）固态电子器件中心工作，作为工艺整合工程师参与了世界上第一款GMR MRAM芯片的开发，主要用户为美国国防部下属各部门；2001年6月转入电路设计工程组，参与大规模集成电路设计。主要设计的产品为抗辐射型SRAM芯片及ASIC芯片。期间还参与和领导了各种辐射模型的开发，对Honeywell整套抗辐射芯片产品线的扩大和发展做出重要贡献；在2003年获得Honeywell技术突出贡献奖，并被提升为总工程师和项目经理；2004年作为技术专家被邀请加入国际SOI技术委员会，历任委员、高级委员，直到2008年因工作繁忙，拒绝了继续留任的邀请，以便专心于公司的业务；2007年1月加入世界第一大存储公司希捷公司（Seagate）, 任存储器事业部高级工程总监，并兼任专利审查委员会主席，领导下一代非易失性存储器和固态硬盘有关技术的研发；2010年2月自美归国，全职在中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所工作，带领科研团队与苏州工业园区合作共建信息存储联合实验室，并任联合实验室主任，大力开发信息存储领域的知识产权，推动新一代固态存储技术的发展并带动产业化。他拥有25项已批准的美国专利，另有40余项专利已提交美国专利局审批，还曾在许多国际学术期刊和学术会议发表论文，为非易失性存储器设计国际专家。
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